10步法則：1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？2、選取封裝類型；3、選取耐壓BVDSS；4、由驅動電壓選取VTH；5、選取導通電阻RDSON，注意：不是電流；6、選取開關特性：Crss、Coss、Ciss；Qg、Qgd、Qoss；7、熱設計及校核；8、校核二極管特性；9、雪崩能量及UIS、dv/dt；10、其它參數。

材料、信息、能源構筑的當代文明社會，缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內涵，而且其性能可以置于不斷發展的精密工藝控制之下，可謂是“最有料”的材料。在不久的將來，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料的應用，無論是在軍用領域還是在民用市場，都是世界各國爭奪的戰略陣地。